一种二硫化钼纳米片增强的卟啉基光电材料

• 摘要：

  本发明公开了一种二硫化钼纳米片增强的卟啉基光电材料,该卟啉基光电材料是由四羟基苯基卟啉纳米棒和二硫化钼纳米片复合而成,其中,所述二硫化钼纳米片的质量为所述四羟基苯基卟啉纳米棒质量的0.1~1％.卟啉基光电材料中的二硫化钼纳米片为n型半导体,四羟基苯基卟啉纳米棒为p型半导体,两者复合可形成异质结,降低了电子空穴复合机率,从而有效增强了卟啉的光电性能,四羟基苯基卟啉纳米棒相在可见光波段具有非常强的吸收,且在水中不溶,是一种稳定的光电材料.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201811422949.5

• 申请日期：

  2018.11.26

• 公开/公告号：

  CN109701666A

• 公开/公告日：

  2019-05-03

• 发明人：

  卢小泉 陕多亮 陈晶 孙和水 王铁英 张银潘 吴艳霞 魏丽萍 李金芳 胥亚丽 韩振刚

• 申请人：

  西北师范大学

• 主分类号：

  B01J31/34(2006.01),B,B01,B01J,B01J31

• 分类号：

  B01J31/34(2006.01),H01L51/00(2006.01),B,H,B01,H01,B01J,H01L,B01J31,H01L51,B01J31/34,H01L51/00

• 主权项：

  1.一种二硫化钼纳米片增强的卟啉基光电材料,其特征在于,所述卟啉基光电材料是由四羟基苯基卟啉纳米棒和二硫化钼纳米片复合而成,其中,所述二硫化钼纳米片的质量为所述四羟基苯基卟啉纳米棒质量的0.1~1％. 2.根据权利要求1所述的卟啉基光电材料,其特征在于,所述二硫化钼纳米片的质量为所述四羟基苯基卟啉纳米棒质量的0.8％. 3.权利要求1或2所述的卟啉基光电材料的制备方法,其特征在于,包括: (1)四羟基苯基卟啉在阳离子表面活性剂的作用下,于pH＝2.7自组装得到四羟基苯基卟啉纳米棒; (2)钼酸铵与硫脲通过水热反应得到二硫化钼纳米片; (3)将四羟基苯基卟啉纳米棒与二硫化钼纳米片复合,得到所述的卟啉基光电材料. 4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)中,所述的阳离子表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵. 5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,自组装时,十六烷基三甲基溴化铵的浓度为2~2.5mmol/L,四羟基苯基卟啉的初始浓度为20~30μmol/L. 6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,钼酸铵和硫脲的摩尔比为1∶30,钼酸铵的浓度为0.02~0.03mol/L,水热反应的温度为200℃、时间为24h. 7.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,四羟基苯基卟啉纳米棒与二硫化钼纳米片可通过如下方式之一复合: 方式一、分别配制四羟基苯基卟啉纳米棒的分散液和二硫化钼纳米片的分散液,再将四羟基苯基卟啉纳米棒的分散液与二硫化钼纳米片的分散液混合,避光超声处理后,晾干; 方式二、分别配制四羟基苯基卟啉纳米棒的分散液和二硫化钼纳米片的分散液,将二硫化钼纳米片的分散液旋涂在载体上,载体再在四羟基苯基卟啉纳米棒的分散液中避光浸泡后,取出晾干.