用于钝化接触结构的预扩散片及其制备方法和应用

• 摘要：

  本发明提供一种用于钝化接触结构的预扩散片,包括钝化接触基体和结合于钝化接触基体表面内的掺杂预扩散层,掺杂预扩散层的部分掺杂物质扩散进入钝化接触基体表面内不同深度,具有掺杂预扩散层的钝化接触结构的方阻>90Ω/sq.经过预扩散,钝化接触基体表面形成了一定的表面掺杂,能带在表面已经产生程度的弯曲,提升了载流子的选择性和传输能力,降低接触电阻,也降低了对隧穿非晶硅、隧穿氧化硅或其他钝化隧穿层的厚度要求,同时也降低了对掺杂非晶硅的掺杂浓度依赖,降低了对新材料的功函数的过渡依赖,提升电池良品率.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201811608148.8

• 申请日期：

  2018.12.27

• 公开/公告号：

  CN109755330A

• 公开/公告日：

  2019-05-14

• 发明人：

  曾俞衡 王志学 叶继春 闫宝杰 廖明墩 杨阵海 杨清 张志 黄玉清 郭雪琪

• 申请人：

  中国科学院宁波材料技术与工程研究所

• 主分类号：

  H01L31/0224(2006.01),H,H01,H01L,H01L31

• 分类号：

  H01L31/0224(2006.01),H01L31/0747(2012.01),H01L31/18(2006.01),H,H01,H01L,H01L31,H01L31/0224,H01L31/0747,H01L31/18

• 主权项：

  1.用于钝化接触结构的预扩散片,其特征在于,包括钝化接触基体和结合于钝化接触基体表面内的掺杂预扩散层,掺杂预扩散层的掺杂物质扩散入钝化接触基体表面内不同深度,具有预扩散层的钝化接触结构的方阻>90Ω/sq. 2.如权利要求1所述的用于钝化接触结构的预扩散片,其特征在于,所述钝化接触基体为单晶硅片,所述掺杂物质为磷、硼中的至少一种. 3.一种钝化接触结构,其特征在于,具有如权利要求1或2所述的预扩散片. 4.如权利要求3所述的钝化接触结构,其特征在于,在所述预扩散片表面集成隧穿氧钝化接触结构、硅异质结结构、非掺杂异质结结构中的一种. 5.权利要求1或2所述的预扩散片的制备方法,其特征在于,步骤包括: (1)钝化接触基体置于退火炉中,通入掺杂物质源进行高温扩散处理; (2)然后去除浮于钝化接触基体表面的杂质层、掺杂物质富集层; (3)最后清洗表面; 或者步骤(1)为在钝化接触基体表面涂覆一层掺杂物质源,后将钝化接触基体置于退火炉中高温退火. 6.如权利要求1所述的预扩散片的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中掺杂物质源中磷源为POCl3,硼源为BBr3. 7.如权利要求1所述的预扩散片的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中涂覆掺杂物质源的方法为喷涂、旋涂、打印、印刷中的一种. 8.权利要求1或2所述的预扩散片在太阳电池中的应用. 9.如权利要求8所述的应用,其特征在于,所述预扩散片上集成隧穿氧化钝化接触结构、硅异质结结构或非掺杂异质结结构中的一种.