一种钝化接触结构及其在硅太阳电池中应用

• 摘要：

  本发明提供一种钝化接触结构,包括钝化接触基体,至少一个表面上集成有硅化物薄膜,且硅化物薄膜中掺杂有硼、磷、铝、镓、氮中的至少一种元素,硅化物薄膜与钝化接触基体表面之间为氧化硅层.本发明的优点是硅化物薄膜层的带隙较大,减少短波长光的寄生吸收,提升太阳电池的短路电流,致密型高,热稳定性好,抑制爆膜和抗银浆烧蚀,电导率优良因此有利于保持良好的填充因子.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201811607783.4

• 申请日期：

  2018.12.27

• 公开/公告号：

  CN109786476A

• 公开/公告日：

  2019-05-21

• 发明人：

  曾俞衡 叶继春 闫宝杰 杨清 廖明墩 张志 黄玉清 郭雪琪 王志学

• 申请人：

  中国科学院宁波材料技术与工程研究所

• 主分类号：

  H01L31/0216(2014.01),H,H01,H01L,H01L31

• 分类号：

  H01L31/0216(2014.01),H01L31/02(2006.01),H01L31/068(2012.01),H,H01,H01L,H01L31,H01L31/0216,H01L31/02,H01L31/068

• 主权项：

  1.钝化接触结构,包括钝化接触基体,其特征在于,至少一个表面上集成有硅化物薄膜,且硅化物薄膜中掺杂有硼、磷、铝、镓、氮中的至少一种元素,硅化物薄膜与钝化接触基体表面之间为氧化硅层. 2.如权利要求1所述的钝化接触结构,其特征在于,所述钝化接触基体相对的两表面分别集成有硅化物薄膜,两相对表面上的硅化物可以相同也可以不同. 3.如权利要求1所述的钝化接触结构,其特征在于,所述硅化物薄膜的折射率为1~3. 4.如权利要求1所述的钝化接触结构,其特征在于,所述硅化物为富硅碳化硅或富硅氧化硅或富硅氮化硅,通过化学气相沉积法、蒸镀法、溅射法中的至少一种将硅化物集成于钝化接触基体表面. 5.如权利要求1所述的钝化接触结构,其特征在于,所述硅化物薄膜为n型掺杂的碳化硅薄膜时,反应气体采用硅烷、磷烷、氢气、甲烷;为p型掺杂的碳化硅薄膜时,反应气体采用硅烷、硼烷、氢气、甲烷. 6.如权利要求1所述的钝化接触结构,其特征在于,所述硅化物薄膜为n型掺杂的氧化硅薄膜时,反应气体采用硅烷、磷烷、氢气和笑气或二氧化碳;为p型掺杂的氧化硅薄膜时,反应气体采用硅烷、硼烷、氢气和笑气或二氧化碳. 7.如权利要求1所述的钝化接触结构,其特征在于,所述硅化物薄膜为n型掺杂的氮化硅薄膜时,反应气体采用硅烷、磷烷、氢气、氨气;为p型掺杂的氮化硅薄膜时,反应气体采用硅烷、硼烷、氢气、氨气. 8.一种太阳电池,其特征在于,具有权利要求1~7任一项所述的钝化接触结构. 9.如权利要求8所述的太阳电池,其特征在于,制备步骤依次为钝化接触基体清洗,双面制绒,正面扩散,背面抛光,背面制备氧化硅,制备背面的掺杂硅化物薄膜,高温处理晶化,正面制备钝化减反层,制备背面减反膜,双面金属化形成金属电极.