一种钼靶材的制备方法

• 摘要：

  本发明涉及一种钼靶材的制备方法,属于溅射靶材制备技术领域.本发明钼靶材的制备方法包括以下步骤:先将钼原料烧结成钼坯;再通过电子束熔炼的方法进行提纯;然后经周向轧制、真空退火处理得钼靶材.该方法解决了钼靶材杂质含量高、织构分布不均匀的问题,通过该方法制得的钼靶材纯度和密度更高、靶材织构分布更均匀,能形成特定的结晶取向、钼靶材的溅射性能更好.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201811348932.X

• 申请日期：

  2018.11.13

• 公开/公告号：

  CN110004416A

• 公开/公告日：

  2019-07-12

• 发明人：

  谢敬佩 陈艳芳 苌清华 马窦琴 赵海丽 毛爱霞 王爱琴 王文焱

• 申请人：

  河南科技大学

• 主分类号：

  C23C14/34(2006.01),C,C23,C23C,C23C14

• 分类号：

  C23C14/34(2006.01),C23C14/14(2006.01),C,C23,C23C,C23C14,C23C14/34,C23C14/14

• 主权项：

  1.一种钼靶材的制备方法,其特征在于:包括以下步骤: (1)将钼原料压制、烧结制成圆柱形钼坯; (2)将步骤(1)的圆柱形钼坯再经周向轧制得钼靶坯; (3)将步骤(2)中的钼靶坯经真空退火处理得到钼靶材. 2.根据权利要求1所述的钼靶材的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述的钼原料为钼粉,钼粉的粒度为2~3μm. 3.根据权利要求1或2所述的钼靶材的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述的钼原料的纯度≥99.95％. 4.根据权利要求1所述的钼靶材的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述的烧结温度为1800~1850℃,烧结时间为6~8h. 5.根据权利要求1所述的钼靶材的制备方法,其特征在于:步骤(1)所述的圆柱形钼坯经提纯得到提纯后的圆柱形钼坯,提纯后的圆柱形钼坯的纯度≥99.99％. 6.根据权利要求1所述的钼靶材的制备方法,其特征在于:步骤(2)所述的周向轧制,后一道次的轧制方向与前一道次的轧制方向成120°~150°夹角. 7.根据权利要求6所述的钼靶材的制备方法,其特征在于:步骤(2)所述的钼靶坯的总变形量为70~90％. 8.根据权利要求1所述的钼靶材的制备方法,其特征在于:步骤(3)所述的真空退火温度为1050~1150℃,真空退火时间为1~2h. 9.根据权利要求1所述的钼靶材的制备方法,其特征在于:步骤(3)所述的真空退火的真空度不低于1.5*10-3Pa.