• 一种精确表征晶体三维取向和晶体学取向的方法

    • 摘要:

      本发明提供一种精确表征晶体三维取向和晶体学取向的方法.本发明方法,包括如下步骤:获取所述晶体材料待测区域内的二维组织形貌和EBSD花样;将其通过三维图像分析软件进行三维图像合成,获取三维形貌;提取特征形貌在三维形貌所在坐标系中的三维取向;通过三维取向转换到EBSD获得的晶体学坐标系中,获得所述特征形貌的晶体学取向.本发明可以精确地同时解析各种材料特征组织结构的取向和晶体学取向,对材料晶体生长取向和生长行为研究具有重要意义.

    • 专利类型:

      发明专利

    • 申请/专利号:

      CN201910736340.3

    • 申请日期:

      2019.08.09

    • 公开/公告号:

      CN110441342A

    • 公开/公告日:

      2019-11-12

    • 发明人:

      陈国清 王雅琨 付雪松

    • 申请人:

      大连理工大学

    • 主分类号:

      G01N23/2251(2018.01),G,G01,G01N,G01N23

    • 分类号:

      G01N23/2251(2018.01),G01N23/2202(2018.01),G01N23/203(2006.01),G,G01,G01N,G01N23,G01N23/2251,G01N23/2202,G01N23/203

    • 主权项:

      1.一种精确表征晶体三维取向和晶体学取向的方法,其特征在于,包括如下步骤: 1)获取所述晶体材料待测区域内的一系列截面的二维组织形貌; 2)获取待测区域内EBSD花样; 3)将所述步骤1)获得的系列所述二维组织形貌通过三维图像分析软件进行三维图像合成,获取三维形貌; 4)在EBSD获得的晶体学坐标系与所述三维形貌所在坐标系之间建立转换关系; 5)在所述步骤3)中合成的所述三维形貌中提取特征形貌在三维形貌所在坐标系中的三维取向; 6)将所述步骤5)的特征形貌的三维取向转换到EBSD获得的晶体学坐标系中,获得所述特征形貌的晶体学取向. 2.根据权利要求1所述的精确表征晶体三维取向和晶体学取向的方法,其特征在于,所述二维组织形貌的获取具体通过FIB/SEM双束系统观察获得,或者经机械磨抛后通过光学显微镜观察获得. 3.根据权利要求1或2所述的精确表征晶体三维取向和晶体学取向的方法,其特征在于,所述EBSD花样的获取方法具体通过分析区域内至少一个平面的EBSD数据获得,所述EBSD数据基于EBSD探头进行采集. 4.根据权利要求1所述的精确表征晶体三维取向和晶体学取向的方法,其特征在于,所述特征形貌能够通过在三维图像分析软件中的切片功能确定特征面的三维取向;对于特征线或棒,通过提取穿过所述线或棒的两个面的法线方向,对其进行叉乘,获得所述特征线或棒的三维取向.