• 多沟道电流扩展型半导体恒电流二极管

    • 摘要:

      本发明公开了一种多沟道电流扩展型半导体恒电流二极管,其特征在于:在P+型半导体衬底(1)上外延N型半导体区域(2)和P+型半导体区域(3),P+型半导体区域(3)将N型半导体区域(2)分为2个PN结隔离区,隔离区上栅扩散有第一P+半导体区域(41)、第二P+半导体区域(4-2),以及第一N+半导体区域(5-1)、第二N+半导体区域(5-2)、第三N+半导体区域(5-3);构成多沟道N-JFET和PNP晶体管复合结构.本发明将电源正极接到器件正极,电源负极接到器件负极(也可以通过负载接到负极),可以在一个基本回路中实现的恒电流特性.恒电流值的大小可以通过N-JFET的沟道数量或PNP的电流增益的设计实现,该结构可达到20mA~100mA系列的输出恒定电流.

    • 专利类型:

      发明专利

    • 申请/专利号:

      CN200910308121.1

    • 申请日期:

      2009.10.09

    • 公开/公告号:

      CN101667575

    • 公开/公告日:

      2010-03-10

    • 发明人:

      刘桥

    • 申请人:

      贵州大学

    • 主分类号:

      H01L27/04(2006.01)I

    • 主权项:

      1.一种多沟道电流扩展型半导体恒电流二极管,其特征在于:在P+型半导体衬底(1)上外延N型半导体区域(2),在N型半导体区域(2)上扩散P+型半导体区域(3),P+型半导体区域(3)和P+型半导体衬底(1)连通,将N型半导体区域(2)分为第一PN结隔离区(2-1)、第二PN结隔离区(2-2);在第一PN结隔离区(2-1)上栅扩散有第一P+半导体区域(4-1),在第二PN结隔离区(2-2)上扩散有第二P+半导体区域(4-2);在扩散的第一P+半导体区域(4-1)之间的第一PN结隔离区(2-1)上扩散有第一N+半导体区域(5-1)、第二N+半导体区域(5-2),在第二PN结隔离区(2-2)上扩散有第三N+半导体区域(5-3);第二N+半导体区域(5-2)与第三N+半导体区域(5-3)通过金属电极(6)连接;P+型半导体区域(3)、第一N+半导体区域(5-1)和第一P+半导体区域(4-1)通过电极(7)连接.