本发明涉及一种无机化合物晶体及制造技术领域,提供了一种稀土掺杂硼酸镥钪单晶的浮区法生长方法.本发明成功利用浮区法获得晶体质量较好的稀土掺杂硼酸镥钪单晶,该单晶的结构式为(Lu1-xScx)1-yMyBO3,其中:0.1≤x≤0.7,0
发明专利
CN201010523592.7
2010.10.29
CN101949061A
2011-01-19
任国浩 吴云涛 丁栋舟 潘尚可 杨帆
中国科学院上海硅酸盐研究所
C30B29/22(2006.01)I
一种稀土掺杂硼酸镥钪闪烁单晶,其特征在于,该单晶的化学式为(Lu1?xScx)1?yMyBO3,其中:0.1≤x≤0.7,0<y≤0.1,M选自Ce、Pr、Eu、Tb或Yb中的一种或多种.