• 一种稀土掺杂硼酸镥钪闪烁单晶及其生长方法

    • 摘要:

      本发明涉及一种无机化合物晶体及制造技术领域,提供了一种稀土掺杂硼酸镥钪单晶的浮区法生长方法.本发明成功利用浮区法获得晶体质量较好的稀土掺杂硼酸镥钪单晶,该单晶的结构式为(Lu1-xScx)1-yMyBO3,其中:0.1≤x≤0.7,0

    • 专利类型:

      发明专利

    • 申请/专利号:

      CN201010523592.7

    • 申请日期:

      2010.10.29

    • 公开/公告号:

      CN101949061A

    • 公开/公告日:

      2011-01-19

    • 发明人:

      任国浩 吴云涛 丁栋舟 潘尚可 杨帆

    • 申请人:

      中国科学院上海硅酸盐研究所

    • 主分类号:

      C30B29/22(2006.01)I

    • 主权项:

      一种稀土掺杂硼酸镥钪闪烁单晶,其特征在于,该单晶的化学式为(Lu1?xScx)1?yMyBO3,其中:0.1≤x≤0.7,0<y≤0.1,M选自Ce、Pr、Eu、Tb或Yb中的一种或多种.