本发明是关于三维空间网络结构无序通道型的离子导电材料,制造及在气相环境金属阴极保护技术中的应用,属于固体电化学及金属腐蚀与防护领域.$本发明提供的固体电解质材料是由SIO2形成三维的空间网络,其中大量断裂的SI-O键形成无序的连续孔洞等缺陷成为阴、阳离子迁移的通道,它是由硅酸钠(或硅酸钾)与碳酸氢钠(或碳酸氢钾)或氟硅酸钠(或氟硅酸钾)或磷酸二氢钠(或磷酸二氢钾)及其混合物组成.$金属阴极保护涂层是由这种材料构成的内衬层、中间层及阳极层依次组成,保护电位0.3-1.5V,施加槽压0.6-3.0V,可使用在温度-30-100℃,相对湿度100%-0.5%范围内.
发明专利
CN90102900.9
1990.07.12
CN1058239
1992-01-29
温兆银 陈昆刚 樊增钊 林祖镶 徐孝和
中国科学院上海硅酸盐研究所
C23F13/02,C,C23,C23F,C23F13
C23F13/02,C,C23,C23F,C23F13
一类具有离子导电的固体电解质材料,其特征在于由SIO↓[2]形成三维空间网络,其中大量断裂的SI-O键形成无序的连通孔洞缺陷成为阴、阳离子迁移通道.