• 电子束退火制备二硼化镁超导薄膜的方法

    • 摘要:

      一种电子束退火制备二硼化镁超导薄膜的方法,该方法采用电子束在真空中对二硼化镁先驱膜进行退火,在秒数量级的退火时间内使先驱膜中的镁、硼单质发生化学反应最终生成二硼化镁超导薄膜.退火时电子束参数和退火时间依据不同的前驱膜厚度和退火温度要求来确定,通过精确控制电子束能量和剂量来完成不同厚度薄膜的退火.本发明制备的二硼化镁超导薄膜性能稳定、表面平整、转变温度高于35K,具有退火均匀、效率高、操作简单等优势,可用于多种功能薄膜的制备.

    • 专利类型:

      发明专利

    • 申请/专利号:

      CN201110112739.8

    • 申请日期:

      2011.05.03

    • 公开/公告号:

      CN102214786A

    • 公开/公告日:

      2011-10-12

    • 发明人:

      孔祥东 韩立 薛虹 初明璋 李建国 林云生 方光荣

    • 申请人:

      中国科学院电工研究所

    • 主分类号:

      H01L39/24(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L39

    • 分类号:

      H01L39/24(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L39,H01L39/24

    • 主权项:

      一种电子束退火制备二硼化镁超导薄膜的方法,其特征在于:在电子束加工设备的真空样品室内采用电子束对二硼化镁先驱膜进行退火,使先驱膜中的镁、硼单质发生化学反应最终生成二硼化镁超导薄膜,退火时样品室内的真空度高于1.0*10?2Pa.