具有上/下转换发光结构的晶体硅太阳能电池及制备方法

• 摘要：

  本发明公开了一种具有上/下转换发光结构的晶体硅太阳能电池及其制备方法,该晶体硅太阳能电池在晶体硅片背表面钝化层的表面增加由上转换发光材料构成的薄膜层或/和由下转换发光材料构成的薄膜层,在该薄膜层表面制备由氮化硅、氮化铝、氧化硅或氧化铝构成的保护层,从而形成对上/下转换发光材料的包覆结构,一方面将没有被晶体硅太阳能电池有效利用的传到电池背表面的太阳光通过上转换发光过程或/和下转换发光过程调整到能够被晶体硅电池有效利用的可见光,另一方面有效避免对电池前表面的光谱响应产生负面影响,因此能够有效提高电池的光电转化效率,在高效晶体硅电池领域具有广阔的应用前景.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201110318840.9

• 申请日期：

  2011.10.19

• 公开/公告号：

  CN102364691A

• 公开/公告日：

  2012-02-29

• 发明人：

  竺立强 张洪亮 肖惠 万青

• 申请人：

  中国科学院宁波材料技术与工程研究所

• 主分类号：

  H01L31/0232(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L31

• 分类号：

  H01L31/0232(2006.01)I,H01L31/0216(2006.01)I,H01L31/18(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L31,H01L31/0232,H01L31/0216,H01L31/18

• 主权项：

  一种具有上/下转换发光结构的晶体硅太阳能电池,包括经清洗、制绒、扩散处理的晶体硅片、位于晶体硅片前表面的钝化层、位于晶体硅片背表面的钝化层以及金属电极,其特征是:所述的晶体硅片背表面钝化层的表面是由上转换发光材料构成的薄膜层,或者是由下转换发光材料构成的薄膜层,或者是由上转换发光材料构成的薄膜层与下转换发光材料构成的薄膜层的复合薄膜层,在所述的薄膜层或者复合薄膜层的表面是由氮化硅、氮化铝、氧化硅或氧化铝构成的保护层.