掺铬硅酸镁钙可调谐激光晶体及其制备方法

• 摘要：

  本发明提供掺铬硅酸镁钙可调谐激光晶体及其制备方法.该晶体分子式为Cr3+:CaMgSi2O6,属于单斜晶系,空间群为C12/c1,晶胞参数为a=9.741 Å,b=8.901 Å,c=5.257 Å,β=105.97°,V=439.1Å3,Z=4,Dc=3.271 g/cm3.Cr3+:CaMgSi2O6为同成分熔化化合物,可用提拉法生长出高光学质量和大尺寸的晶体,生长条件为:生长温度1500℃,提拉速度为0.2~0.8毫米/小时,晶体转速为10~20转/分钟.其可调谐范围在700~1350nm之间,该晶体可望成为一种新的可调谐激光晶体,并获得实际应用.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201310070800.6

• 申请日期：

  2013.03.06

• 公开/公告号：

  CN103173862A

• 公开/公告日：

  2013-06-26

• 发明人：

  王国富 黄溢声 米红星 林州斌 张莉珍

• 申请人：

  中国科学院福建物质结构研究所

• 主分类号：

  C30B29/34(2006.01)I,C,C30,C30B,C30B29

• 分类号：

  C30B29/34(2006.01)I,C30B15/00(2006.01)I,H01S3/16(2006.01)I,C,H,C30,H01,C30B,H01S,C30B29,C30B15,H01S3,C30B29/34,C30B15/00,H01S3/16

• 主权项：

  掺铬硅酸镁钙可调谐激光晶体,其特征在于:该晶体的分子式为Cr3+:CaMgSi2O6,属于单斜晶系,具有C2/c空间群结构,晶胞参数为   a=9.741 Å,b=8.901 Å,c=5.257 Å,β=105.97°,V=439.1Å3,Z=4,Dc=3.271 g/cm3,可产生可调谐激光.