一种退火制备二硼化镁超导薄膜微结构的方法

• 摘要：

  一种电子束退火制备二硼化镁超导薄膜微结构的方法,该方法采用电子束在真空中对具有微结构图形的二硼化镁前驱膜进行退火.所述的具有微结构图形的二硼化镁前驱膜为采用掩模法制备的Mg/B多层膜,在秒数量级的退火时间内使前驱膜中的镁、硼单质发生化学反应,最终生成转变温度高于35K的二硼化镁超导薄膜微结构.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201310415603.3

• 申请日期：

  2013.09.12

• 公开/公告号：

  CN103500793A

• 公开/公告日：

  2014-01-08

• 发明人：

  孔祥东 韩立 薛虹 李建国 初明璋

• 申请人：

  中国科学院电工研究所

• 主分类号：

  H01L39/24(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L39

• 分类号：

  H01L39/24(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L39,H01L39/24

• 主权项：

  一种电子束退火制备二硼化镁超导薄膜微结构的方法,其特征在于:所述的制备方法为:在电子束加工设备的真空样品室内,采用电子束对具有微结构图形的二硼化镁前驱膜进行退火,在秒数量级的退火时间内使所述的二硼化镁前驱膜中的镁、硼单质发生化学反应,最终生成二硼化镁超导薄膜微结构;所述的具有微结构图形的二硼化镁前驱膜为采用掩膜法制备的Mg/B多层膜.