热水不沾的表面结构及其制备方法

• 摘要：

  本发明公开了一种热水不沾的超疏水界面结构及其制备方法.该超疏水界面结构包括形成于基底表面的纳米针锥阵列结构,所述纳米阵列结构包括阵列排布的复数纳米突起,且至少所述纳米突起顶部具有锥状结构,其中相邻纳米突起之间的距离在50~500nm,所述纳米突起的顶部直径为1~200nm,同时所述纳米阵列结构表面还修饰有低表面能物质;其制备方法主要是通过化学浴沉积法而实施的.本发明的超疏水界面结构具有良好的热水不沾性,可以实现热水滴或热水流的不沾撞击且瞬间弹离,且制备工艺易于操作和调控,无需任何昂贵设备,低耗环保,重现性好,周期短,能够大面积制备,具有很好的工业应用前景.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201410126261.8

• 申请日期：

  2014.03.31

• 公开/公告号：

  CN104944791A

• 公开/公告日：

  2015-09-30

• 发明人：

  高雪峰 张亚平 田健 朱杰

• 申请人：

  中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

• 主分类号：

  C03C17/00(2006.01)I,C,C03,C03C,C03C17

• 分类号：

  C03C17/00(2006.01)I,C08J7/12(2006.01)I,C,C03,C08,C03C,C08J,C03C17,C08J7,C03C17/00,C08J7/12

• 主权项：

  一种热水不沾的超疏水界面结构,其特征在于包括形成于基底表面的纳米阵列结构,所述纳米阵列结构包括阵列排布的复数纳米突起,且至少所述纳米突起顶部具有锥状结构,其中相邻纳米突起之间的距离在50 ~ 500 nm,所述纳米突起的顶部直径为1 ~ 200 nm,同时所述纳米阵列结构表面还修饰有低表面能物质.