一种半水石膏单晶定向生长的控制方法

• 摘要：

  本发明公开了一种半水石膏单晶定向生长的控制方法,它是在磷石膏中加入酸度调节剂,加入水,混合均匀,陈化后,装入带冷凝回流装置的反应釜中,加入杂质稳定剂,晶面选择吸附剂,混合均匀后,进行加热反应,同时在反应体系中加上离子运动控制器,反应结束后、冷却、过滤、将固体烘干,得到形态可控的半水石膏单晶.本方法工艺简单,成本低的特点,适合工业化生产.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201610030658.6

• 申请日期：

  2016.01.18

• 公开/公告号：

  CN105624772A

• 公开/公告日：

  2016-06-01

• 发明人：

  董发勤 谭宏斌 吴传龙 何花 贺小春

• 申请人：

  西南科技大学

• 主分类号：

  C30B7/14(2006.01)I,C,C30,C30B,C30B7

• 分类号：

  C30B7/14(2006.01)I,C30B29/46(2006.01)I,C,C30,C30B,C30B7,C30B29,C30B7/14,C30B29/46

• 主权项：

   一种半水石膏单晶定向生长的控制方法,其特征在于,包括下述步骤:A、原料预处理:在磷石膏中加入酸度调节剂,加入水,混合均匀,陈化24h;其中酸度调节剂加入量为磷石膏质量的1~10%;水的加入量为磷石膏质量的100~500%;B、石膏单晶的制备:在步骤A得到的处理磷石膏倒入带冷凝回流装置的反应釜中,加入杂质稳定剂,晶面选择吸附剂,混合均匀后,进行加热反应,同时在反应体系中加上离子运动控制器,反应结束后、冷却、过滤、将固体烘干,得到半水石膏单晶;其中杂质稳定剂加入量为磷石膏质量100~500%;晶面选择吸附剂加入量为磷石膏质量1~10%.