本发明公开了一种制备三维石墨烯的方法.该方法,是在化学气相沉积的过程中,利用无模板无催化剂的方法直接通过控制碳源流量在多种衬底上生长三维石墨烯.通过改变碳源的流量来控制碳源浓度从而达到对三维石墨烯密度与高度可控的效果.本发明公开的方法,与传统的方法相比,大大降低了制备过程的繁琐与成本,而且提高了对所制备三维石墨烯密度与高度的可控性.
发明专利
CN201610008722.0
2016.01.07
CN105668555A
2016-06-15
于贵 王华平 耿德超
中国科学院化学研究所
C01B31/04(2006.01)I,C,C01,C01B,C01B31
C01B31/04(2006.01)I,C,C01,C01B,C01B31,C01B31/04
一种制备三维石墨烯的方法,包括如下步骤:在氢气和氩气气氛中,通入碳源气体于衬底上进行化学气相沉积,沉积完毕后于所述衬底上得到所述三维石墨烯.