硅电池与片式反向二极管集成的太阳电池组件及制备方法

• 摘要：

  本发明公开了一种硅电池与片式硅反向二极管集成的太阳电池组件,该太阳电池组件是由几十个集成电池单元串联或混合串并联组成,以替代组件原来所用的三个独立的反向保护二极管.所谓集成电池单元,由常规硅太阳电池与片式硅反向保护二极管背对背由电极和电极连接构成.本发明的电池单元包括:太阳电池p型衬底,衬底的n型扩散层,扩散层电极,衬底电极,片式反向二极管n型衬底,p型扩散层,n型隔离区,磷杂质浆料,p型扩散层的电极,片式反向二极管n型衬底的电极,且电极与衬底电极金属接触.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201610160295.8

• 申请日期：

  2016.03.21

• 公开/公告号：

  CN105679864A

• 公开/公告日：

  2016-06-15

• 发明人：

  韩培德 梁鹏

• 申请人：

  中国科学院半导体研究所

• 主分类号：

  H01L31/0443(2014.01)I,H,H01,H01L,H01L31

• 分类号：

  H01L31/0443(2014.01)I,H01L31/18(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L31,H01L31/0443,H01L31/18

• 主权项：

  一种硅电池与片式硅反向二极管集成的太阳电池组件,由多个集成电池单元混合串并联组成,混合串并联指组件内所有集成电池单元串联排列,或者将电池切半,以多串并联排列;其特征在于,所谓集成电池单元由常规硅太阳电池背光面上附着一个片式硅反向保护二极管构成,其中片式硅反向保护二极管由n型硅衬底(5)、p型掺杂层(6),n型隔离区(7),磷杂质浆料(8),与p型硅接触的金属电极(9),与n型硅接触的金属电极(10)组成,其中电极(9)与电极(3)连接后形成输出端(B),电极(10)与电极(4)连接后形成另一个输出端(A).