一种双极性聚合物场效应晶体管及其制备方法与应用

• 摘要：

  本发明公开了一种双极性聚合物场效应晶体管及其制备方法与应用.它由下至上依次为衬底、源漏电极、半导体层、绝缘层、栅极电极;所述绝缘层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯;其的制备方法,包括如下步骤:1)在衬底上沉积带有图案的源漏电极;2)在沉积有源漏电极的衬底上旋涂聚合物半导体,得到聚合物半导体层;3)在所述半导体层上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯,得到绝缘层;4)在所述绝缘层上沉积栅极电极,即得到双极性聚合物场效应晶体管.本发明双极性聚合物场效应晶体管应用于有机电子学和集成电路加工中.本发明双极性聚合物场效应晶体管的电子和空穴的迁移率都得到了提高,且其制备方法简单易行.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201610244436.4

• 申请日期：

  2016.04.19

• 公开/公告号：

  CN105679940A

• 公开/公告日：

  2016-06-15

• 发明人：

  于贵 毛祖攀 郭云龙 陈华杰 张卫锋

• 申请人：

  中国科学院化学研究所

• 主分类号：

  H01L51/05(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L51

• 分类号：

  H01L51/05(2006.01)I,H01L51/30(2006.01)I,H01L51/40(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L51,H01L51/05,H01L51/30,H01L51/40

• 主权项：

  一种双极性聚合物场效应晶体管,其特征在于:它由下至上依次为衬底、源漏电极、半导体层、绝缘层、栅极电极;所述绝缘层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯.