本发明提供了一种FinFET制造方法,包括:a.提供衬底(100),并在所述衬底上形成鳍片(200);b.所述鳍片(200)两侧的衬底上形成隔离层(300);c.在所述隔离层(300)上半部分两侧的鳍片中形成穿通阻挡层(310)和扩散阻挡层(320);d.在所述鳍片两端分别形成源漏区,在所述鳍片中部形成栅极结构,并在所述隔离层(300)上方填充层间介质层(500).通过本发明提供的方法,有效的优化了PTSL分布,提高了器件性能.
发明专利
CN201410295576.5
2014.06.26
CN105225956A
2016-01-06
尹海洲 刘云飞 张珂珂
中国科学院微电子研究所
H01L21/336(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L21
H01L21/336(2006.01)I,H01L29/78(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L21,H01L29,H01L21/336,H01L29/78
一种FinFET制造方法,包括:a.提供衬底(100),并在在所述衬底上形成鳍片(200);b.所述鳍片(200)两侧的衬底上形成隔离层(300);c.在所述隔离层(300)上半部分两侧的鳍片中形成穿通阻挡层(310)和扩散阻挡层(320);d.在所述鳍片两端分别形成源漏区,在所述鳍片中部形成栅极结构,并在所述隔离层(300)上方填充层间介质层(500).