基于二并吡咯酮与萘酰亚胺单元构建的聚合物半导体材料及其制备方法与应用

• 摘要：

  本发明公开了一种基于二并吡咯酮(DPP)与萘酰亚胺单元构建的聚合物半导体材料及其制备方法与应用.该聚合物的结构如式I所示.本发明还提供了式I化合物的制备方法.本发明提供的合成路线简单、有效;原料为商业化的廉价产品,合成成本低;合成方法具有普适性,可以推广应用到其他NDT化合物的合成.以本发明NDT为有机半导体层制备的OFET在空气中可测得较高的双极性迁移率(空穴和电子μ最高值约为0.01cm²/V·s),在OFET中有良好的应用前景.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201510725844.7

• 申请日期：

  2015.10.29

• 公开/公告号：

  CN105237746A

• 公开/公告日：

  2016-01-13

• 发明人：

  于贵 朱敏亮 毛祖攀 张卫锋 黄剑耀 王丽萍 罗浩

• 申请人：

  中国科学院化学研究所%北京科技大学

• 主分类号：

  C08G61/12(2006.01)I,C,C08,C08G,C08G61

• 分类号：

  C08G61/12(2006.01)I,H01L51/30(2006.01)I,C,H,C08,H01,C08G,H01L,C08G61,H01L51,C08G61/12,H01L51/30

• 主权项：

  式I所示聚合物,所述式I中,R₁和R₂均均为C1~C60的直链烷基或支链烷基或碳氟链烷基;m＝0?10;n为聚合度,n为5?300.