本发明公开了一种具有高效离子截留性能的纳米还原‑氧化石墨烯涂层修饰陶瓷膜,该方法采用改进的Hummer法,以微晶石墨为主要原料,制备氧化石墨烯;再采用热还原工艺,获得还原‑氧化石墨烯;将上述纳米还原‑氧化石墨烯超声处理后形成的分散液作为涂覆修饰原料,采用负压抽滤涂覆和热处理工艺,对陶瓷膜进行修饰,从而获得结合牢固、导电的还原‑氧化石墨烯修饰陶瓷膜;最后对上述还原‑氧化石墨烯修饰陶瓷膜的顶/底表面进行被银网并连接导线,制成膜元件.该膜在外电场的辅助作用下,对溶液中的离子具有较高的离子截留率和渗透通量等优良特性,从而拓宽了陶瓷膜的应用领域,同时,本发明具有工艺简单、成本低廉、操作条件易控等优点.
发明专利
CN201610509329.X
2016.07.03
CN105879707A
2016-08-24
周健儿 胡学兵 张小珍 汪永清 常启兵
景德镇陶瓷大学
B01D71/02(2006.01)I,B,B01,B01D,B01D71
B01D71/02(2006.01)I,B01D67/00(2006.01)I,B,B01,B01D,B01D71,B01D67,B01D71/02,B01D67/00
一种具有高效离子截留性能的纳米还原‑氧化石墨烯修饰陶瓷膜,其特征在于:包括以下步骤:步骤一:采用改进的Hummer法,以微晶石墨为原料,制备氧化石墨烯;步骤二:采用热还原工艺,在200~300℃下对步骤一制备的氧化石墨烯进行还原2~4小时,获得电导率为100~150 s/m的还原‑氧化石墨烯;步骤三:将步骤二获得的还原‑氧化石墨烯在300~600 W超声处理2~4小时后,形成浓度约0.1~0.5 wt%的分散液,以该分散液为修饰原料,采用负压抽滤涂覆工艺对陶瓷膜孔表面进行涂覆修饰,然后在200~300℃下烘干2~4小时,获得结合牢固、导电的还原‑氧化石墨烯修饰陶瓷膜;步骤四:对步骤三修饰后的陶瓷膜的顶/底表面进行被银网并连接导线,并将导线连接外电源.