• 碳化硅半导体器件的退火方法

    • 摘要:

      本发明涉及碳化硅半导体器件制备技术领域,尤其公开了一种碳化硅半导体器件的退火方法,所述碳化硅半导体器件包括具有离子注入的碳化硅晶片,该退火方法包括步骤:A、将经过离子注入的碳化硅晶片置于化学气相沉积反应腔室中;B、将反应腔室抽真空,并充入保护气体;C、将充入保护气体后的反应腔室升温,并充入反应气体,进行热解反应,碳化硅晶片的经过离子注入的一侧的表面上形成碳膜;D、将镀有碳膜的碳化硅晶片进行退火处理.根据本发明的退火方法,利用化学气相沉积法,在碳化硅晶片表面形成致密碳膜,使得在后续退火过程中,不仅抑制经离子注入的元素不从碳化硅晶片表面逸出,而且保护碳化硅晶片表面的形貌和粗糙度不发生恶化.

    • 专利类型:

      发明专利

    • 申请/专利号:

      CN201510296003.9

    • 申请日期:

      2015.06.02

    • 公开/公告号:

      CN106298471A

    • 公开/公告日:

      2017-01-04

    • 发明人:

      王辉 蔡勇 张宝顺

    • 申请人:

      中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

    • 主分类号:

      H01L21/04(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L21

    • 分类号:

      H01L21/04(2006.01)I,H,H01,H01L,H01L21,H01L21/04

    • 主权项:

      一种碳化硅半导体器件的退火方法,所述碳化硅半导体器件包括具有离子注入的碳化硅晶片,其特征在于,所述退火方法包括步骤:A、将经过离子注入的碳化硅晶片置于化学气相沉积反应腔室中;B、将所述反应腔室抽真空,并充入保护气体;C、将充入所述保护气体后的反应腔室升温,并充入反应气体进行热解反应,在所述碳化硅晶片的经过离子注入的一侧的表面上形成碳膜;D、将镀有所述碳膜的碳化硅晶片进行退火处理.