吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮及其聚合物

• 摘要：

  本发明公开了一种吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮聚合物.该吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮聚合物的结构如式Ⅰ所示.以本发明吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮为有机半导体层制备的有机场效应晶体管的空穴迁移率为1.31*10^‑3cm²V^‑1s^‑1,开关比大于10³‑10⁴;在有机场效应晶体管器件中有非常高的应用前景.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201611183130.9

• 申请日期：

  2016.12.20

• 公开/公告号：

  CN106632410A

• 公开/公告日：

  2017-05-10

• 发明人：

  于贵 高冬 陈智慧 张卫锋

• 申请人：

  中国科学院化学研究所

• 主分类号：

  C07D519/00(2006.01)I,C,C07,C07D,C07D519

• 分类号：

  C07D519/00(2006.01)I,C08G61/12(2006.01)I,H01L51/05(2006.01)I,H01L51/30(2006.01)I,C,H,C07,C08,H01,C07D,C08G,H01L,C07D519,C08G61,H01L51,C07D519/00,C08G61/12,H01L51/05,H01L51/30

• 主权项：

  式I所示聚合物,所述式I中,Ar为如下基团的任意一种:所述Ar基团中,Z为O、S或Se原子;R₂为C1‑C20的直链或支链烷基、F原子、含有氧原子或硫原子的C1‑C20直链或支链烷基或C1‑C20的碳氟直链或支链烷基;均表示取代位;R₁为C10‑C60的直链或支链烷基或为含有氧原子、硅原子、氮原子和氟原子中至少一种的C10‑C60的直链或支链烷基;n为5‑100;X₁至X₄均选自N原子和C原子中的任意一种,且X₁至X₄中任意一个为N原子时,其余三个基团只能为C原子,且桥连键在N原子的邻位.