测定多孔薄膜厚度和孔隙率的方法

• 摘要：

  本公开提供了一种测定多孔薄膜厚度和孔隙率的方法,其对测得的至少两个测试共振光谱进行仿真拟合,得到多孔薄膜厚度d与其孔隙率P的至少两个P‑d函数关系,最后由这至少两个P‑d函数关系曲线的交点得到待测多孔薄膜的厚度及孔隙率.本公开不仅实现了直接对多孔薄膜的厚度进行测量,还可同时获得多孔薄膜的孔隙率,具有简便易行、成本低廉、无破坏性等特点,具有较好的应用前景.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN201710558888.4

• 申请日期：

  2017.07.10

• 公开/公告号：

  CN107270822A

• 公开/公告日：

  2017-10-20

• 发明人：

  祁志美 万秀美 高然 程进

• 申请人：

  中国科学院电子学研究所

• 主分类号：

  G01B11/06(2006.01)I,G,G01,G01B,G01B11

• 分类号：

  G01B11/06(2006.01)I,G01N15/08(2006.01)I,G,G01,G01B,G01N,G01B11,G01N15,G01B11/06,G01N15/08

• 主权项：

  一种测定多孔薄膜厚度和孔隙率的方法,包括:获得包括透明基底/缓冲膜/待测多孔薄膜的共振芯片;获得所述共振芯片在不同测试条件的至少两条测试共振光谱‑第一测试共振光谱和第二测试共振光谱,其中,第一测试共振光谱对应于第一测试条件,第二测试共振光谱对应于第二测试条件;通过对第一测试共振光谱和第二测试共振光谱的仿真拟合,求取在第一测试条件下,表征待测多孔薄膜的孔隙率和厚度关系的第一函数;及在第二测试条件下,表征待测多孔薄膜的孔隙率和厚度关系的第二函数;以及求解同时满足第一函数和第二函数的孔隙率和厚度,即为待测多孔薄膜的孔隙率和厚度.