一种降低磁控溅射源污染的装置

• 摘要：

  本实用新型公开了一种降低磁控溅射源污染的装置,包括有靶枪,靶枪的枪口端部设置有几个倒V形弹片,弹片与靶枪之间设置有靶材;所述倒V形弹片的一个支脚连接有安装片,安装片上设置有通孔,螺钉穿过通孔及靶枪枪口端部的螺纹孔后将弹片固定在靶枪上,弹片的另外一个支脚压在靶材表面上.本实用新型通过对现有的磁控溅射设备进行改进,去除压在靶材上的不锈钢压环,改由面积更小的弹片固定,降低了压环对磁控溅射制备薄膜材料的污染,且操作简单,使用方便,不用对现有设备做任何修改即可达到.此装置虽然简单,但对降低薄膜污染、提高薄膜质量起到了关键性作用.

• 专利类型：

  实用新型

• 申请/专利号：

  CN201720424683.2

• 申请日期：

  2017.04.21

• 公开/公告号：

  CN206751916U

• 公开/公告日：

  2017-12-15

• 发明人：

  谢泉 马新宇 陈茜 廖杨芳

• 申请人：

  贵州大学

• 主分类号：

  C23C14/35(2006.01)I,C,C23,C23C,C23C14

• 分类号：

  C23C14/35(2006.01)I,C,C23,C23C,C23C14,C23C14/35

• 主权项：

  一种降低磁控溅射源污染的装置,其特征在于:包括有靶枪(1),靶枪(1)的枪口端部设置有几个倒V形弹片(2),弹片(2)与靶枪(1)之间设置有靶材(3);所述倒V形弹片(2)的一个支脚连接有安装片(4),安装片(4)上设置有通孔,螺钉(5)穿过通孔及靶枪(1)枪口端部的螺纹孔后将弹片(2)固定在靶枪(1)上,弹片(2)的另外一个支脚压在靶材(3)表面上.