银基导电防冷焊薄膜

• 摘要：

  本发明涉及一种银基导电防冷焊薄膜.它的重量百分比组成为:二硫化钼5-15％、氟化镧0.1-4％、余量为银.本发明采用双离子束溅射方法成膜,具有较低的电阻率、较好的防止真空冷焊特性并与基体具有良好的结合强度.

• 专利类型：

  发明专利

• 申请/专利号：

  CN01143089.3

• 申请日期：

  2001.12.17

• 公开/公告号：

  CN1426870

• 公开/公告日：

  2003-07-02

• 发明人：

  翁立军 孙嘉奕 孙晓军 李陇旭 汪晓萍

• 申请人：

  中国科学院兰州化学物理研究所

• 主分类号：

  B23K35/22,B,B23,B23K,B23K35

• 分类号：

  B23K35/22,B,B23,B23K,B23K35

• 主权项：

  1、一种银基导电防冷焊薄膜,其特征在于重量百分比组成为:二硫化钼5-15％、氟化镧0.1-4％、余量为银.