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科技工作者之家 2020-03-30
来源:X一MOL资讯
由于CdSe纳米晶的晶格常数比CdS纳米晶大,所以CdS纳米晶在CdSe/CdS核壳界面处受到拉伸应变,从而导致CdS壳的导带能级降低,而CdSe核的导带则受到压缩应变,使得CdSe核的导带能级升高。这种变化减小了核壳组分之间的导带能级差,使得电子难以束缚在核内,因此在常压下CdSe/CdS核壳纳米晶为准II型半导体结构。CdS壳层厚度的增加会提高核壳界面间应力,进一步减弱内核对电子的束缚。高压下由于外壳对内核的保护,外界压力对CdSe内核的影响相对较小,其构型主要决定于压力下CdS外壳的电子结构。外界压力导致CdS壳的导带能级升高,最终增大CdSe核与CdS壳之间的导带能级差,从而将电子完全束缚在核内,最终形成了I型核壳结构。本工作阐明了外界压力在改善核壳结构纳米材料的电子和光学性质方面的重要应用前景。来源:X-molNews X一MOL资讯
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