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来源：中国科学材料
基于层状材料的范德华(vdWs)异质结构在下一代光电器件中显示出巨大潜力。迄今为止，基于堆叠或外延生长技术，已有多种vdWs异质结构被研究。然而，由于vdWs异质结的合成过程复杂，难以大规模集成异质结构器件阵列，对其实际应用造成了极大的限制。
近日，华南师范大学李京波教授等人在Science China Materials上发表研究论文，通过脉冲激光沉积技术自组装制备了面外垂直In2Se3/SnSe2异质结构的平面光电探测器阵列，利用垂直内建电场来抑制暗电流并分离光生载流子。
图1 In2Se3/SnSe2异质结构阵列的制备示意图。
所构建的器件具有6.3 pA的超低暗电流，8.8×1011 Jones的高检测率和超过3×104的高信噪比。这些性能指标不仅比纯In2Se3器件高一个数量级，还展示了探测微弱信号的独特优势。
图2 基于In2Se3/SnSe2异质结构阵列构建的光电探测器的光电探测性能。
另外，该异质结构光电探测器阵列也可以构建在柔性聚酰亚胺衬底上，制备柔性器件。这些器件同样显示出有效的光电探测能力，即使弯曲200次后，光响应仍保持不变。这些发现为下一代大面积和高集成度光电技术的发展奠定了基础。
来源：SciChinaMater 中国科学材料
原文链接：http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzAwMDc0OTAzOQ==&mid=2651214420&idx=1&sn=81d9dfd1bc230ecf6e86b8c52ec65987&chksm=8116ced4b66147c26746006ce246be0749910119d3393d36c9f5e3d4e204b883c43ee72fe3ce&scene=27#wechat_redirect
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