科技工作者之家
科技工作者之家APP是专注科技人才,知识分享与人才交流的服务平台。
科技工作者之家 2020-07-06
来源:中国科学材料
基于过渡金属硫族化合物的二维材料异质结,由于其在下一代高性能集成光电子器件中的潜在应用而备受关注。虽然目前异质结制备很广泛,但是外延生长具有干净锐利界面的原子级别厚度金属-半导体异质结仍然备受挑战。另外,基于金属-半导体异质结的光电性能还鲜有研究。
近日,北京航空航天大学宫勇吉教授、中科院上海技术物理研究所胡伟达研究员和中科院物理所鲍丽宏副研究员等人在Science China Materials上发表研究论文,报道了高质量垂直金属-半导体异质结的合成,其中金属性质的单层NbS2外延生长于单层MoS2表层。
图1 NbS2/MoS2表层异质结的合成与形貌。
使用NbS2作为电极接触的MoS2晶体管,其迁移率和电流开关比相对于Ti/Au接触的MoS2晶体管分别提升了6倍和2个数量级。
图2 Ti/Au和NbS2作为电极接触的MoS2晶体管的性能。
另外,基于NbS2作为电极接触的MoS2光电探测器,其响应时间和光响应可以分别提升至少30倍和20倍。
图3 Ti/Au和NbS2作为电极接触的MoS2光电探测器的性能。
本工作通过简单的化学气相沉积(CVD)方法制备的原子级别厚度的金属-半导体异质结和二维金属材料在接触方面的作用为其在光电子器件中的应用奠定了基础。
来源:SciChinaMater 中国科学材料
原文链接:http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzAwMDc0OTAzOQ==&mid=2651214428&idx=1&sn=a10cacf9824f4958800ee93e290bddfc&chksm=8116cedcb66147cae96831b689179101ffc16c914eaffab1bc2027068605457e5beed827f972&scene=27#wechat_redirect
版权声明:除非特别注明,本站所载内容来源于互联网、微信公众号等公开渠道,不代表本站观点,仅供参考、交流、公益传播之目的。转载的稿件版权归原作者或机构所有,如有侵权,请联系删除。
电话:(010)86409582
邮箱:kejie@scimall.org.cn
科学家首次制备新型半导体异质结材料
通过太赫兹近场显微镜揭示半导体纳米线光电探测器的检测动态
通知丨关于召开2018年第2期全国电子信息青年科学家论坛的通知
用于高响应度p-n异质结光电探测器的新型P型半导体Cu9S5
铁电直接调控异质结能带结构增强V-doped ZnO/Si光电探测器性能
基于III型氮化物半导体的混合结构光发射器和紫外日盲光电二极管探测器
可拉伸纳米线薄膜紫外光电探测器
湖大李东/潘安练:自驱动宽波段WSe2/Bi2Te3 异质p-n结光电探测器
InfoMat: 硅-低维半导体复合异质结光电探测器
在电信波长下具有高速度和高响应性的波导集成型范德华异质结光电探测器