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来源：中科院半导体所
过渡金属二硫族化合物二维半导体材料的欧姆电接触一直是限制这类材料器件电学性能的瓶颈。主要原因是金属与这类材料的界面通常形成费米能级钉扎及肖特基势垒。利用部分结构相变产生金属特性的过渡金属二硫族化合物并形成有效欧姆电接触是提高这类二维材料的电学性能的有效方法。
香港科大王宁教授简要介绍了这种通过相变方法形成欧姆接触的机理和研究进展，特别是利用氧气等离子体诱导相变的方法为制备高质量过渡金属二硫族化合物二维半导体器件，物理特性研究以及技术应用提供了一个有效途径。
来源：bdtdsj 中科院半导体所
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