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科技工作者之家 2020-07-28
来源:X一MOL资讯
在过去的十年中,纳米石墨烯(稠环芳烃,PAHs)在化学和物理学等跨学科领域展示出了令人瞩目的成就。石墨烯具有丰富的物理、化学性质,使其在有机光电器件、磁性存储器件、自旋电子器件等方面展示出极大的应用潜力。但是,由于石墨烯没有带隙(零带隙),妨碍了其在电子晶体管中的应用。因此,寻找打开石墨烯带隙的方法变得尤为重要,特别是对于开发石墨烯基的电子元件。其中,最常见打开石墨烯带隙的方法是将电荷载流子约束在宽度为纳米级的一维石墨烯半导体带中,即石墨烯纳米带(graphene nanoribbons, GNRs)。另一种获得石墨烯带隙的方法是将“缺陷”(defects)引入到石墨烯的sp2碳框架中。从能量稳定性而言,五边形-七边形对是一个合理的“缺陷”模型,其可以通过原子的错位产生。目前,石墨烯“缺陷”的研究仍处于萌芽阶段,主要还是通过理论计算的方法来研究和预测“缺陷”对石墨烯性能的影响。而有关拓扑“缺陷”(如五边形和七边形等)对石墨烯的化学和物理性质的影响仍然知之甚少,这是由于难以实现原子精度“缺陷”结构的设计和性能调控。图1、合成具有五元环和七元环的非苯类纳米石墨烯2A和2B。绿色:通过甲基氧化获得的七元环;紫色:通过氧化环化脱氢获得的七元环;红色:通过重排反应获得含有五元环的戊烯(pentalene)和茚满二烯(as-indacene)结构。来源:X-molNews X一MOL资讯
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