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来源：中国科学材料
二维六方氮化硼是一种理想的石墨烯电学器件介电层材料，然而，制备低成本和高质量的氮化硼材料仍是一个挑战。
近日，中科院化学所刘云圻院士等人在Science China Materials上发表研究论文，使用等离子体化学气相沉积法，500°C下在铜箔衬底上制备了三角形的BN晶畴及其薄膜。通过使用锡箔纸包裹原料的方法避免了残留原料在BN表面的沉积。当BN作为石墨烯场效应晶体管的介电层时，基于石墨烯的场效应器件空穴与电子的迁移率分别为10,500和4,750 cm2 V−1 s−1，明显优于在高温条件下制备的BN作为介电层的石墨烯器件，间接表明了该方法可得到高质量的BN。另外，本工作也揭示了氮化硼的质量对石墨烯场效应器件的性能至关重要。
图1 BN作为石墨烯场效应晶体管介电层时的电化学性能。
来源：SciChinaMater 中国科学材料
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