NiCoSe2/Ni3Se2片层状阵列修饰N掺杂石墨烯管用于非对称超级电容器

科技工作者之家 2019-09-26

来源:中国科学材料

近日,青岛科技大学赵健博士等人在Science China Materials上发表研究论文,采用一步电沉积法在N掺杂石墨烯纳米管(N-GNTs)上直接生长NiCoSe2/Ni3Se2片层状阵列(NiCoSe2/Ni3Se2-LAs),并将其作为非对称超级电容器的正极材料。

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图1 N-GNTs@NiCoSe2/Ni3Se2 NSs电极材料的合成。

由于活性材料和骨架之间的协同作用,在电流密度为1 A g−1的情况下,构建出的N-GNTs@NiCoSe2/Ni3Se2LAs呈现出约1308 F g−1的质量比电容。更重要的是,此复合电极材料还显示出优异的倍率性能(100 A g−1下的比电容约为1000 F g−1)和超长的循环稳定性(10000次循环后其比电容仍保持为原比电容的~103.2%)。此外,以N-GNTs@NiCoSe2/Ni3Se2-LAs和活性炭(AC)分别为正极和负极组装了一种非对称的超级电容器,其在2.6 kW kg−1下的能量密度为42.8 W h kg−1,且具有突出的循环稳定性(10000次循环后其比电容仍保持为原比电容的~94.4%)。

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图2 超级电容器的组装及性能。

因此,赵健博士等人的制备技术和新的见解不仅能拓宽多组分复合电极材料的设计,而且还能促进新型过渡金属硒化物在新一代高性能超级电容器中的实际应用。

该研究成果最近发表于Science China Materials, 2019, doi: 10.1007/s40843-019-9587-5。

来源:SciChinaMater 中国科学材料

原文链接:http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzAwMDc0OTAzOQ==&mid=2651213110&idx=2&sn=d91dd2ab472acaeb2125232bd1e49f98&chksm=8116d1b6b66158a08dc8d317b2f3f85cced8b87a405b9b9067066636f232a1834dc106896946&scene=27#wechat_redirect

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