红外半导体激光材料

红外半导体激光材料是指辐射波长位于红外波段的半导体激光材料。从0.7μm波段始都属于这一类。如0.78~ 0.85μm的GaAIAs材料，1.3μm、1.5μm等石英光纤通信用的激光器材料。

简介红外半导体激光材料是指辐射波长位于红外波段的半导体激光材料1。

分类从0.7μm波段始都属于这一类。如0.78~ 0.85μm的GaAIAs材料，1.3μm、1.5μm等石英光纤通信用的激光器材料。从2.0μm波段开始，直到已获得的最长波段43μm材料分为两类：

(1)GaSb基及InAs基的Ⅲ-V族化合物半导体，其覆盖波段为2~4μm。

(2)IN-VI族铅盐半导体，覆盖3~30μm波段。

应用因红宝石为三能级系统，故激光阈值较高，但贮能大，所以在激光领域内应用还很普遍。尤其适用于大能量高功率激光器件，作激光探针分析仪，激光对半导体的热处理和长距离测距仪(如地-月测距)等2。

激光红外灯激光，最初中文名叫做“镭射”、“莱塞”，英文名叫做LASER，意思是“受激辐射的光放大”，激光的英文全名(Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation)已完全表达了制造激光的全过程，1964年我国著名科学家钱学森建议将“光受激发射”改称激光。

A 方向性：激光器发射的光，是朝一个方向射出，光束的发散角小，接近于理想平行光。B 单色性：激光的光谱宽度非常的小，是几个纳米量级。所以其具有良好的单色性光源。C 亮度高，能量密度大。

半导体激光半导体激光（Semiconductor laser）在1962年被成功激发，在1970年实现室温下连续输出。后来经过改良，开发出双异质接合型激光及条纹型构造的激光二极管（Laser diode）等，广泛使用于光纤通信、光盘、激光打印机、激光扫描器、激光指示器（激光笔），是生产量最大的激光器3。

半导体激光器激光器有固体激光器(如红宝石激光器。将光能转化光能，波长不一样)、气体激光器(如，二氧化碳激光器)、化学激光器(化学能转化为光能)、半导体激光器(电能转化为光能)。激光红外灯属于半导体激光器是利用半导体材料，在空穴和电子复合的过程中电子能级的降低而释放出光子来产生光能的，然后光子在谐振腔间产生谐振规范光子的传播方向而形成激光。

半导体激光器的尺寸小，激光器的尺寸在毫米量级，发光芯片在百微米量级；半导体激光器电能到光能的转化效率高，电光转换效率至少80%， LED灯电光转换率最高只能达到20%2。

本词条内容贡献者为:

邱学农 - 副教授 - 济南大学