介质薄膜

介质薄膜是指在混合集成电路中，除SiO, SiO2, BaTiO3‑、Y2O3、Si3N4 ,钽基介质薄膜以外的其它介质薄膜。

简介介质薄膜是指在混合集成电路中，除SiO, SiO2, BaTiO3‑、Y2O3、Si3N4 ,钽基介质薄膜以外的其它介质薄膜1。

举例如Al,Hf、Nb、Zr等金属的阳极氧化介质薄膜，辉光放电制成的聚合物介质薄膜以及氮化铝薄膜等。阳极氧化物的介电常数如下:Al203 10,HfO2 45,Nb2O5 41,WO3 42。

性能在薄膜电路中，使用的A1、Nb、Zr等金属薄膜，是在电解液中用阳极氧化形成。薄膜的厚度取决于外加电压。每伏电压形成的介质厚度称为阳极化常数。铝的为1. 36nm/V。

方法有机聚合物薄膜的制备方法有：

(1)将聚合物的溶液摊开，然后将溶剂挥发，制得介质薄膜;

(2)将有机单体摊开，而后加热或用紫外线使其聚合2。

应用常用的有机薄膜是聚对亚苯(基)二甲基。其它介质薄膜主要用于制作薄膜电容器。如Al-A12O3-Al薄膜电容器是一种廉价电容器。Al2O3薄膜也可用作绝缘层3。

本词条内容贡献者为:

邱学农 - 副教授 - 济南大学