自电光效应材料

自电光效应材料是指具有自电光效应的多量子阱(MQW)材料。

定义自电光效应材料是指具有自电光效应的多量子阱(MQW)材料1。

简介MQW材料，阱宽小(10nm)，从而使阱中的激子结合能大大增加。结果在室温也能观察到轻、重两个激子吸收峰。体材料中的激子较大(约30nm) ,结合能较小，通常只能在低温才能观察到激子峰由于激子效应，MQW材料在垂直于量子阱方句上加电场时，激子峰会向长波移动，这就是所谓的量子限制Stark效应（QCSE) 。激子峰的变化，导致对光的吸收变化，可构成光调制器。另外，MQW材料也是一种很好的光探测材料。由超晶格-多量子阱-超晶格结构所构成的p-i-n光探测器，内部量子效率可达100%。这种同时具有调制和探测功能的器件，称自电光效应器件(SEED)。由光所引起的流过SEED的电流，将影响器件二端的电压，该电压又反过来影响对光的吸收。器件内部存在着光电反馈现象。SEED的特性将由外部电子线路和光电反馈方式所决定2。

现状及重要性根据这些特性，可构成光学双稳器件，电学双稳器件，光学、电学振荡器，自线性调制器等。已实现的自电光效应材料有，GaAs /AIGaAsMQW、InGaAs/InAIAsMQW、GaInAsP/InPMQW等。

应用由自电光效应材料所构成的SEED，可在室温工作，可高速运转，可与其它光电器件，如二极管激光器、光探测器等兼容，在光通信、光计算、光信息处理等领域有广泛用途3。

本词条内容贡献者为:

邱学农 - 副教授 - 济南大学