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铬硅电阻薄膜是指一种常用的高阻薄膜材料。具有电阻率高、稳定性好、电阻温度系数小等特点。
简介铬硅电阻薄膜是指一种常用的高阻薄膜材料。
特点其特点是电阻率高、稳定性好、电阻温度系数较小。
其他Cr和Si可以生成多种硅化物如Cr3Si , Cr5Si3, , CrSi , CrSi2等，铬硅电阻薄膜的性能与制备工艺、膜的成分、热处理工艺等密切相关。
方法制备方法有:
(1)蒸发法。原料为高纯〔99. 99%)铬粉和硅粉的混合物，配比随所需阻值而不同，粒度为200目左右；
(2)溅射法采用Cr-Si复合靶；
（3)真空电阻蒸发法1。
用途铬硅电阻薄膜用于高阻薄膜电阻器。
本词条内容贡献者为:
邱学农 - 副教授 - 济南大学
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