剩余电阻比法

剩余电阻比法是金属在室温和在液氦(4.2K)的电阻率之比。金属(或合金)的电阻的实质是晶格对电子的散射，因此电阻率ρ由两个部分组成，一是晶格畸变对电子散射的影响ρo，另一部分是晶格振动对电子散射的影响ρ(T)，即ρ=ρo+ρ(T)。

概念剩余电阻比法是金属在室温和在液氦(4.2K)的电阻率之比1。

电阻率金属(或合金)的电阻的实质是晶格对电子的散射，因此电阻率ρ由两个部分组成，一是晶格畸变对电子散射的影响ρo，另一部分是晶格振动对电子散射的影响ρ(T)，即ρ=ρo+ρ(T)。

剩余电阻当温度T降低到4.2K时，ρ(T)趋向于零，ρo则不随温度而变化，此时ρ≈ρo，称为剩余电阻。

作用主要决定于杂质元素对电子的散射，也就是说ρo的数值将能灵敏地反映出金属中杂质含量的高低1。

测量方法测量剩余电阻比的方法有许多，较为常用的是非接触式的涡流法。其原理是：处于变化磁场中的金属试样会感应出涡流。

特点剩余电阻比的数值直接反映金属的纯度。已对铜、铝、镓、铟等金属积累了大量的数据，并制备了标样。该方法的优点：灵敏度高、精密度高和方法简单，可实现无接触测量。缺点是测量的是杂质总量，而不能区别杂质元素的种类及其各自的含量2。

本词条内容贡献者为:

邱学农 - 副教授 - 济南大学