同质外延法

同质外延法是指用外延法生长单晶时，采用的衬底与薄膜是同一种材料。从被还原分解的硅化物蒸气中在硅衬底上生长硅单晶片。同质外延不仅用于气相外延生长，也常用于液相外延生长之中。在生长过程中，除衬底的质量和清洁度外，衬底的取向对晶体的生长影响明显。

简介同质外延法是指用外延法生长单晶时，采用的衬底与薄膜是同一种材料。

过程从被还原分解的硅化物蒸气中在硅衬底上生长硅单晶片。同质外延不仅用于气相外延生长，也常用于液相外延生长之中。在生长过程中，除衬底的质量和清洁度外，衬底的取向对晶体的生长影响明显1。

外延法即趋势外推法，它根据惯性原理，预测发展过程的未来趋势。一般地说，外延法不注重预测者的价值观念和目标，也不注重预测者在未来事件中能够起的作用和应该采取的决策。预测者抱着一种“超脱”的客观态度，对未来的发展过程作出预测。

外延生长在单晶衬底（基片）上生长一层有一定要求的、与衬底晶向相同的单晶层，犹如原来的晶体向外延伸了一段，故称外延生长。外延生长技术发展于50年代末60年代初。当时，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻，又要求材料能耐高压和大电流，因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。外延生长的新单晶层可在导电类型、电阻率等方面与衬底不同，还可以生长不同厚度和不同要求的多层单晶，从而大大提高器件设计的灵活性和器件的性能。外延工艺还广泛用于集成电路中的PN结隔离技术（见隔离技术）和大规模集成电路中改善材料质量方面1。

本词条内容贡献者为:

邱学农 - 副教授 - 济南大学