泡发射极工艺

用热扩散方法形成发射区时所具有的横向扩散，必定导致发射极—基极结埋藏于距发射极窗口边缘一定距离的二氧化硅层下。因此，只要选择适当的腐蚀液，把发射极窗口上的掺杂二氧化硅层泡净，但又不使发射极—基极结暴露，就可以直接得到干净的硅窗口，以供制作良好的欧姆接触。这一工艺就称为泡发射极工艺。

由于不需套刻，因此它是一种所谓自对准的光刻工艺，它能使发射极宽度大为减小，对改进器件的高频参数很有利

简介泡发射极工艺（washed emitter technology）进行双极晶体管发射极杂质扩散时，发射极窗口将形成一层掺杂二氧化硅层。为了作好欧姆接触，一般需用光刻套刻的方法在这层掺杂二氧化硅层上开一个露出硅表面的窗口。但是，采用这种方法， 由于存在套刻间距等问题，不利于减小发射极宽度，从而影响了高频参数的改进。1

举例在LSTTL电路中常采用泡发射极工艺。泡发射极工艺是指在发射区扩散后，用1%浓度的氢氟酸HF泡出（漂洗出）发射区扩散窗口（包括发射极接触孔是利用了1%浓度的HF对磷硅玻璃PSG的腐蚀速度为每秒5nm，而对SiO2，却只有每秒0.25nm。这样300nm的三次氧化层需1分钟就可漂尽，而SiO2层只去掉7.5nm。所以发射极扩散窗口被“泡出”后，窗口外的原有氧化层却很少受到腐蚀。2

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本词条内容贡献者为:

王宁 - 副教授 - 西南大学