前沿动态：室温下利用溶液处理制备柔性RRAM器件

来源：今日新材料

由于柔性电阻随机存取存储器(RRAM)器件具有高存储密度、低功耗和优于传统晶体管存储器的开关速度等优点，对人性化、轻量级和智能可穿戴电子设备的快速增长的需求引起了人们的极大兴趣。考虑到材料的采用，特别是精心设计的有机材料，新兴的钙钛矿和二维材料已经得到了较多的研究，但环境稳定性不是很理想或商业化产品的缺乏限制了它们的进一步发展。

近日，中国科学院化学研究所的张宗波副研究员团队，提出了用全氢化硅氮烷（PHPS）溶液在聚酰亚胺薄膜上制作硅基柔性阵列的研究方法。研究发现，通过在室温下，在波长为172纳米的真空紫外线（VUV）照射SiOx聚合物前体全氢化硅烷化氮烷，获得具有高均匀性的无定形二氧化硅薄膜。器件在349个DC开关周期内表现出可靠的双极电阻开关行为，电阻状态在室温和85℃下稳定超过10000秒。更重要的是该器件表现出显著的灵活性，最小弯曲半径低至0.5mm，并在弯曲条件下保持其性能。该工作为制备柔性二氧化硅基RRAM提供了一种方便的方法，其条件要求低，工艺简单，适合大面积制备。

文献链接：

Room-Temperature, Solution-Processed SiOx via Photochemistry Approach for Highly Flexible Resistive Switching Memory，ACS Applied Materials & Interfaces，2020
https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsami.0c16556

原文链接：
https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzA4NDk3ODEwNQ==&mid=2698835328&idx=5&sn=18a36414be7614e684c821f24caf56be&chksm=baf6a5568d812c4061dbce52ab7c7a5a1f5258c0e43916c10167a47d9f3e6ef4f288e06da684&mpshare=1&scene=1&srcid=12198ejOYy9edbBGRbIZVnnK&sharer_sharetime=1608364375594&sharer_shareid=bd42e2ca4eac38ac75396775af17670f&exportkey=Af0PkhQF36ohBmifWPjLfNs%3D&pass_ticket=7X%2F1vZsRDPbL1wkUiXvD5t8eJfxXpAnEbxr%2BgAPcGSpbMMY9jmvsB%2BZ660JK6qRC&wx_header=0#rd