科技工作者之家
科技工作者之家APP是专注科技人才,知识分享与人才交流的服务平台。
科技工作者之家 2021-01-04
来源:中科院微电子研究所
近日,2020国际电子器件大会(IEDM)以视频会议的形式召开。会上,微电子所刘明院士科研团队展示了阻变存储器芯片集成领域的最新研究成果。
阻变存储器(RRAM)因其CMOS工艺兼容性好、微缩能力强、可靠性高等优势,被认为是先进工艺节点上取代e-flash的有力候选者。但其能否集成在10纳米逻辑工艺平台是影响RRAM未来市场的关键因素。
刘明院士团队首次在14纳米 FinFET逻辑工艺平台上开展了RRAM的集成工作,实现了1Mbit的嵌入式RRAM存储芯片,1T1R单元面积为0.022um2,芯片存储密度为13.4Mb/mm2,居世界前列。针对RRAM器件与逻辑单元之间的不兼容性,团队提出了负电压偏置的编程方案,通过在芯片中引入深N阱工艺,使阵列可以施加负电压以降低施加电压的绝对值进而减小传输路径上的高压风险。团队采用位线转置的优化阵列架构,降低了晶体管的击穿风险。团队发现操作电压、编程电流和后端RC是影响微缩的重要因素,进而提出了RRAM在10纳米及以下节点集成的建议设计规则,并采用1T2R的阵列架构提高存储密度。该工作对提升RRAM在先进工艺节点下的嵌入式应用具有一定的指导意义。
基于上述研究成果的论文“First Demonstration of OxRRAM Integration on 14nm FinFet Platform and Scaling Potential Analysis towards Sub-10nm Node”入选2020 IEDM。微电子所许晓欣副研究员为论文第一作者。
图1 (a)14nm FinFET平台开发的RRAM结构示意图。b)RRAM单元的TEM横截面图像。(c)2Finger 结构的逻辑器件。(d)RRAM的叠层结构
图2 RRAM单元的基本电学特性。(a)IV特性曲线;(b)4Kb存储阵列中高低阻态分布
来源:imecas_wx 中科院微电子研究所
原文链接:http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MjM5Mjk2MzU1Ng==&mid=2651732463&idx=1&sn=0f00456bd79e60579a44a33575efabac
版权声明:除非特别注明,本站所载内容来源于互联网、微信公众号等公开渠道,不代表本站观点,仅供参考、交流、公益传播之目的。转载的稿件版权归原作者或机构所有,如有侵权,请联系删除。
电话:(010)86409582
邮箱:kejie@scimall.org.cn
杭州市科技合作促进会积极助推国产化芯片应用生态环境的营造
复工复产 | 晶华微电子全力保障疫情防控检测核心红外测温芯片供应
合肥工业大学微电子学院科研团队在芯片级强磁场领域取得重要进展
微电子所在RRAM集成领域取得重要进展
微电子所在氮化镓界面态研究方面取得进展
我国科学家开创第三类存储技术
微电子所在有机无序体系的量子电子液体描述研究中获进展
微电子所在器件物理领域取得重要进展
我国人工智能应用落地的关键因素
英美日科学家联袂借助光量子模拟器来拍摄分子振动“大片”