研究进展：AFM - 光刻胶领域再次取得新突破，二氧化碳基正负电子束光刻胶

来源：今日新材料

光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。日益严重的全球环境和能源危机已迫切推动了可持续材料的发展。大量的努力集中在开发新材料上，以取代基于冰，干冰，有机小分子和蛋白质等绿色资源的半导体工业中的化石抗蚀剂。然而，这样的抗蚀剂材料尚未满足高灵敏度，高分辨率，可靠的重复性以及与当前协议的良好兼容性的严格要求。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之，对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶。

浙江大学伍广朋团队开发了具有高灵敏度的正性和负性二氧化碳基聚碳酸酯电子束光刻胶，具备高灵敏度(1.3/120×Ccm-2)，狭窄的临界尺寸(29/58nm)和中等的线边缘粗糙度(4.6/26.7nm)的性能。作者分别通过压花和凹版工艺制造了两个分别基于负PLC44和正PLDC47抗蚀剂的光子晶体器件。如图2的暗视野显微图像所示 鹰标志在白光的暗场照明下出现了深蓝色，靛蓝和绿色三种不同的颜色。反射光波长的区别是由于每个区域内部的方形晶格结构的晶格常数不同（分别为Λ = 500、600和700nm）。负PLC44支柱的平均直径为0.44Λ，而正PLDC47支柱的平均直径为0.61Λ。通过配备光谱仪的暗场显微镜确定的反射光谱，并显示了PL44在439、491和549nm处，PLC44在433、492和569nm处的反射光的峰值。结果表明，这些二氧化碳基正负电子束光刻胶有望用于制造功能性纳米器件。

文献链接：
CO2‐Based Dual‐Tone Resists for Electron Beam Lithography，Advanced Functional Materials，2020

原文链接：
http://www.xincailiao.com/news/news_detail.aspx?id=585376