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科技工作者之家 2019-11-27
来源:中国物理学会期刊网
原文已发表在CPL Express Letters栏目
Received 18 October 2019;
online 05 November 2019
EXPRESS LETTER
The Unconventional Influence of a Nearby Molecule onto Transport of Single C60 Molecule Transistor
Xiao Guo(郭潇), Wen-jie Liang(梁文杰)
Chin. Phys. Lett. 2019, 36 (12): 127301
文章亮点
本文从实验上研究了单分子级别的场效应门作用。我们利用单个C60分子构成的晶体管器件,在器件周边放置额外的分子,来探测周边分子对单分子晶体管器件输运特性的影响。实验结果表明,当临近分子电子态变化一个电子的时候,单分子晶体管的电学特性会产生可观测的跳变。这种跳变随周边电场的调制,反映了所感知分子的化学势和电荷态的演化。这种效应与宏观门响应迥然不同。我们利用量子点的理论证明,这种演化机制源自于近邻分子与单分子器件之间存在的电容耦合和隧穿耦合。
分子级电荷门对C60单分子晶体管中的非常规效应
研究背景
以单个分子为核心单元的单分子器件代表电子学器件微型化的物理极限。其行为和性能引起了物理界广泛关注。近些年来,由于对更小尺寸电学器件的迫切需求,人们对单分子器件做了非常广泛的研究,取得了显著进步。人们开发了许多构造单分子器件的实验手段,也从基础研究层面积极的探索单分子尺度上电子输运的基本特性。在不同构型下,单分子器件已经能够实现许多电学元件的基本功能,包括导线、整流器、存储和开关等等,表现出补充传统硅基器件的巨大潜力。
目前的研究大部分只针对单个分子器件本身的特性。与传统电子学相比,分子电子学在集成和耦合方面尚缺乏研究。在单分子尺度上,各种类型的电接触、周边分子器件的关联以及门逻辑等都是具有挑战性的重要问题。研究和认识分子器件间以及分子周围环境的影响,特别是单分子间的门效应,是分子器件走向应用实现高密度集成或者构建全分子电路十分关键的一步。
内容简介
我们通过在C60单分子晶体管周围放置额外的C60分子(见图1)来探究周边分子对单分子器件输运特性的影响。对于一个普通的单分子晶体管器件,受轨道能级和分子内部电子相互作用的影响,其输运特性表现为库仑阻塞的特征,在二维输运图谱中呈现出典型的库仑菱形的图样,如图2所示。当器件周围存在一个额外的分子时,临近分子充电或者放电会改变单分子器件周围的静电环境,令器件中分子的化学势变化,导致其输运图谱中产生静电移动,并且发生静电移动的位置是一条有斜率的直线,如图3所示。使用双量子点输运的理论模型可以证明,产生这种现象的原因是周边分子与器件分子中间存在静电影响,同时两者之间还可以进行电子交换,即同时存在电容耦合和隧穿耦合。每当周边分子从分子器件中获得一个电子时,分子器件的化学势就会发生相应的移动。
图1. 周边分子影响下的单分子器件示意图。
图2. C60单分子晶体管器件的微分电导(dI/dV)随着器件偏压Vsd和栅压Vg 变化的二维图谱。
图3. 在周边分子影响下的C60单分子晶体管器件的微分电导(dI/dV)随着器件偏压Vsd和栅压Vg 变化的二维图谱。
研究意义及重要性
我们的实验结果揭示了一个临近分子如何影响一个分子器件的输运行为,加深了在单分子层面上对分子之间相互作用的理解。这些结果对于构建全分子电路将起到很积极的作用。同时,这种单分子器件对于周围分子单电子级别的探测能力,也有望在超灵敏探测领域发挥作用。
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来源:cpsjournals 中国物理学会期刊网
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