国家纳米科技专项重要项目学术研讨会在海宁举行

4月10日，国家纳米科技专项重要项目学术研讨会于海宁举行。这次会议由国家纳米科技专项重要项目首席科学家、国家万人计划专家宋志棠研究员召集，在浙江新创纳电子科技有限公司召开。会议邀请了复旦大学刘明、南京大学祝世宁、中国物理科学研究所解思深、清华大学范守善、浙江大学叶志镇等五位院士参会。北京大学、中科院上海微系统与信息技术研究所、中科院上海高等研究院、中科院微电子研究所、上海集成电路研发中心、中芯国际集成电路制造有限公司等教授专家50余人参加。

集成电路芯片是信息系统的核心，是国家基础性、先导性和战略性产业，是国家信息安全保证。存储芯片是集成电路三大芯片之一，占集成电路市场的~30%。研发具有自主知识产权的高性能海量存储技术将推动我国信息产业快速发展，产生巨大的经济效益。相变存储器（PCRAM）与新型CMOS工艺兼容，是高密度、可三维集成的新型海量存储技术，比传统DRAM容量大价格低，比3D NAND FLASH速度快，寿命长，是未来实现存算一体，人工智能、大数据、生命健康的核心芯片，具有非常广阔的市场前景。会议的主体单位中科院上海微系统与信息技术研究所十分重视与地方的合作，研究所所长谢晓明表示，目前，上海微系统与信息技术研究所已和海宁有多个项目进行协作，下一步将继续深化，拓展产研领域合作，推进技术成果转化和更多的项目在海宁落地，做强集成电路产业。这次会议放在海宁召开，显示了中科院上海微系统与信息技术研究所对海宁的大力支持，也展示了海宁的集成电路产业得到了业界的广泛关注。

会上，中科院上海微系统所纳米材料与器件实验室主任，浙江新创纳有限公司董事长宋志棠研究员做了项目进展报告。

院士专家们对项目的进展给予高度肯定，并对新型存储技术的下一步发展指明方向。与会人员对自主产权的高性能存储技术的研究应用和发展前景及与地方的产研协作进行深入地交流讨论，取得十分良好的大会成果。