前沿透视：面向晶圆级的二维过渡金属硫族化合物材料

半导体产业的发展由于尺寸缩小遇到的量子效应瓶颈而急切地呼唤下一代的电子材料。二维材料由于原子级的厚度、在低维下显示出不同于体相材料的崭新的性质、与现有的电子工业工艺能融合的特点，是当今材料研究的热点。近日浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院王佩剑研究员系统全面地总结了晶圆级二维过渡金属硫族化物材料的最新进展。本文开篇总结了二维过渡金属硫族化物的优异的性质和从其他二维材料中脱颖而出的原因。随后，作者总结了当今生长晶圆级二维过渡金属硫族化物的各种方法、生长机制、生长尺寸、晶体质量、器件性质，并分析了不同方法各自的优势和劣势。随即，作者分析了晶圆级生长的各种调控因素，例如晶畴尺寸、表面形貌、层数、相结构等，并分别分析和提出了调控的策略。然后，作者展现了现有的晶圆级二维过渡金属硫族化物的器件应用和关键指标，主要是电子学应用、光电子学应用和其他的一些应用，并提出了一些优化的策略。最后，作者指出了晶圆级二维过渡金属硫族化物面临的主要挑战（例如单晶性、生长装置和条件的创新、材料种类和应用的扩充、异质结直接生长等），提出了未来晶圆级材料的优化思路和发展方向。

文献链接：
Towards Wafer-Scale Production of Two-Dimensional Transition Metal Chalcogenides，Advanced Electronic Materials，2021

原文链接：
http://www.cailiaoniu.com/222056.html