研究进展：大规模制备少层二维黑磷

二维材料为原子尺度开发半导体应用提供了契机，以此可打破对硅技术的依赖。黑磷(Black phosphorus, BP)，作为一种具有可控带隙和高载流子迁移率的层状半导体，是原子厚度晶体管器件中最有前途的候选材料之一。然而，缺乏大规模的生长技术，极大地阻碍了其在设备上的发展。在此，来自中国科学技术大学的陈仙辉和香港理工大学的郝建华等研究者报道了利用脉冲激光沉积，在厘米尺度上生长超薄BP。研究者报道了一种可控脉冲激光沉积(PLD)策略，在厘米尺度上合成高质量、数层BP。结合分子动力学(MD)模拟，研究者表明，与传统的热辅助蒸发不同，使用脉冲激光可以促进物理蒸汽中大型BP簇的形成，从而降低了BP相的生成能，使数层BP得以大规模生长。除了证明获得的BP在大范围内的晶体均匀性外，研究者还通过制造基于BP薄膜的厘米级场效应晶体管(FET)阵列取得了进展，该阵列具有吸引人的电性能，不仅可以与以前报道的微米级BP相媲美，而且整个薄膜高度均匀，这为信息产业中基于BP的半导体集成电路奠定了基础。

文献链接：

Large-scale growth of few-layer two-dimensional black phosphorus，Nature Materials，2021

原文链接：

https://www.toutiao.com/i6944717388277350926/