重磅！国际先进水平！华虹半导体90nm BCD工艺实现规模量产！

国产半导体厂商正在一步步追赶国际先进水平，日前华虹半导体宣布，该公司推出的90nm BCD工艺已经在华虹无锡12英寸生产线已实现规模量产。

华虹指出，90nm BCD工艺具备性能高、核心面积较小等优势，拥有更佳的电性参数，并且得益于12英寸制程的稳定性，良率优异，为数字电源、数字音频功放等芯片应用提供了更具竞争力的制造方案。

我们知道，目前台积电的3纳米都快试产了，一说到90纳米，就认为是20年的工艺了，早已落后了。不过今天说的是90nm BCD工艺，这可不是常规工艺。这个工艺的重点是BCD——BIPOLAR-CMOS-DMOS，是ST意法半导体在80年代发明的功率芯片技术。能做到90纳米已经可以挤进属于世界先进行列了！

BCD是一种复杂的硅芯片制造工艺，每种BCD工艺都具备在同一颗芯片上成功整合三种不同制造技术的优点，包括用于高精度处理模拟信号的双极晶体管，用于设计数字控制电路的CMOS（互补金属氧化物半导体）和用于开发电源和高压开关器件的DMOS（双扩散金属氧化物半导体）。

ST意法目前依然是全球领先的BCD工艺制造商，35年来生产了500万片晶圆，售出400亿颗芯片，仅2020年就售出近30亿颗芯片，工艺发展了十代了，此前主要是350nm、180nm、110nm等，最新量产的十代工艺也是90nm BCD。

从这一点上来看，华虹的90nm BCD工艺确实是该领域的先进工艺，技术优势明显，而中芯国际等国内其他代工厂也在开发90nm BCD工艺，华虹的进度也是领先的。

什么是BCD？  (以下内容转载自：芯思想）

BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）技术是一种单片集成工艺技术，能够在同一芯片上制作Bipolar、CMOS和DMOS器件，1985年由意法半导体率先研制成功。随着集成电路工艺的进一步发展，BCD工艺已经成为PIC的主流制造技术。

经过35年的发展，意法半导体开发了一系列对全球功率IC影响深远的BCD工艺，如BCD3（1.2微米）、BCD4（0.8微米）、BCD5（0.6微米）。 

意法半导体目前提供三种主要的BCD技术，包括BCD6（0.35微米）/BCD6s（0.32微米）、BCD8（0.18微米）/BCD8s（0.16微米和BCD9（0.13微米）/BCD9s（0.11微米），其第十代BCD工艺将采用90纳米。 

BCD6和BCD8还提供SOI工艺选项。 

据悉，意法半导体从1985年BCD推出工艺，至今已经过去35年并经历了九次技术迭代，产出500万片晶圆，售出400亿颗芯片，仅2020年就售出近30亿颗芯片，第十代BCD技术即将开始投产。

来源：EETOP

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