AM: 创纪录的19.2％ EQE，量子阱发光二极管新突破！学术资讯

来源：纳米人

第一作者：Baiquan Liu、Yemliha Altintas

通讯作者：EvrenMutlugun、Hilmi Volkan Demir

通讯单位：阿卜杜拉·居尔大学、南洋理工大学

胶体量子阱（CQW）由于其高消光系数和超窄发射带宽的独特激子特性，被认为是一种很有前途的光电材料。但CQW-LED的性能远远落后于其他类型光电软材料LED（例如，有机LED，胶体量子点LED和钙钛矿LED）。

近日，阿卜杜拉·居尔大学EvrenMutlugun、南洋理工大学 Hilmi Volkan Demir等人报道了接近理论极限的高效CQW-LED。

本文要点

要点1.实现这种高性能的关键因素是利用了CQW的热注入壳（HIS）生长，它可以实现近乎完美的光致发光量子产率（PLQY），减少了非辐射通道，确保了光滑的薄膜并增强了稳定性。值得注意的是，尽管进行了多次的清洗，溶液的PLQY仍保持95％，薄膜的为87％。

要点2. 基于CdSe / Cd0.25Zn0.75S核/ HIS CQW的CQW-LED的最大外部量子效率为19.2％，最高亮度为23 490 cd m-2，CIE坐标为（0.715，0.283）。研究结果表明，基于HIS的CQW可以实现高性能的溶液处理LED，这可能为未来基于CQW的显示和照明技术铺平道路。

参考文献：

Mutlugun,E. Demir, H. V. et al. Record High External Quantum Efficiency of19.2% Achieved in Light-Emitting Diodes of Colloidal Quantum Wells Enabled byHot-Injection Shell Growth. AM 2019.

DOI: 10.1002/adma.201905824

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adma.201905824

来源：nanoer2015 纳米人

原文链接：http://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzUxMDg4NDQ2MQ==&mid=2247513353&idx=8&sn=b17f1bf5974ea60e9b24e49701638e00&chksm=f97eda0bce09531d0435a6554ba61b3d104c87c9e224b56a9e9848fd44974d9226d19603879e&scene=27#wechat_redirect

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