前沿透视：用于提高硒化锑纳米棒阵列太阳能电池开路电压的导带能级工程

在薄膜太阳能电池中，铜铟镓硒化(CIGS)、碲化镉(CdTe)和钙钛矿已经取得了巨大的成功，其认证的能量转换效率(PCE)超过22%。然而，其毒性、自然不稳定性和某些组成元素的丰度有限可能是其大规模应用的障碍。

在河北大学李志强副教授团队等人带领下，构建了一个相互啮合的In2S3纳米片-CdS复合材料作为缓冲层，紧密地涂覆在Sb2Se3纳米棒表面。In2S3-CdS复合缓冲层在Sb2Se3/缓冲层异质结界面建立了梯度导带能量构型，减少了界面重组，增强了光生电子的转移和收集。能级调节使Sb2Se3太阳能电池中缓冲层/Sb2Se3和缓冲层/ZnO层界面的开路电压亏损最小化。因此，基于In2S3-CdS复合缓冲层的Sb2Se3纳米棒阵列太阳能电池的效率高达9.19%，VOC为461 mV。

文献链接：

Conduction Band Energy-Level Engineering for Improving Open-Circuit Voltage in Antimony Selenide Nanorod Array Solar Cells，Adv. Sci.，2021

原文链接：

http://www.cailiaoniu.com/223463.html