摘要:
本发明公开一种自支撑还原氧化石墨烯薄膜的制备方法.该方法包括将氧化石墨烯的乙醇分散液多次滴涂在具有微纳结构的基底上,然后在氩气和氢气气氛下,保持气压50~500Pa、200~1000℃热处理2~5h,制得与具有微纳结构的基底相同面积、相同形状、且能从基底上完整脱离的自支撑还原氧化石墨烯薄膜.所制备的薄膜厚度在几百纳米,利于减小器件整体尺寸,适于微纳光电器件中使用;薄膜导电性好,薄膜电阻能够小到50Ω/sq,导电性显著好于化学氧化还原法制得的还原氧化石墨烯薄膜,利于载流子迁移;薄膜中氧化石墨烯的还原程度受热处理温度调控,热处理温度越高还原程度越高,因此,可根据实际应用需要较容易地调控薄膜中氧化石墨烯的还原程度.